Характеристики MOSFET транзистора IRF6609
Корпус - DIRECTFET MT Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 2.0 мОм Заряд затвора 46.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт