Характеристики MOSFET транзистора IRF6608
Корпус - DIRECTFET ST Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 12 В Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм Заряд затвора 15.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт