Характеристики MOSFET транзистора IRF6607
Корпус - DIRECTFET MT Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 12 В Сопротивление в открытом состоянии 3.3 мОм Заряд затвора 50.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт