Цоколевка транзистора IRF6604
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6604



  • Корпус - DIRECTFET MQ
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 12 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 11.5 мОм
  • Заряд затвора 20.0 нКл
  • Термосопротивление 3.0 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 42 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара