Характеристики MOSFET транзистора IRF6604
Корпус - DIRECTFET MQ Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 12 В Сопротивление в открытом состоянии 11.5 мОм Заряд затвора 20.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт