Характеристики MOSFET транзистора IRF6603
Корпус - DIRECTFET MT Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 12 В Сопротивление в открытом состоянии 3.4 мОм Заряд затвора 86.0 нКл Термосопротивление 3 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт