Характеристики MOSFET транзистора IRF640NS
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 150.0 мОм Ток стока 18 А Заряд затвора 44.7 нКл Термосопротивление 1.00 К/Вт Рассеиваемая мощность 150 Вт