Цоколевка транзистора IRF640N
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF640N



  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 200 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 150.0 мОм
  • Ток стока 18 А
  • Заряд затвора 44.7 нКл
  • Термосопротивление 1.00 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 150 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара