Цоколевка транзистора IRF630NS
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF630NS



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 200 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 300.0 мОм
  • Ток стока 9.5 А
  • Заряд затвора 23.3 нКл
  • Термосопротивление 1.83 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 82 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара