Характеристики MOSFET транзистора IRF5802
Корпус - TSOP-6 (MICRO 6) Напряжение пробоя сток-исток 150 В Максимальное напряжение затвора 30 В Сопротивление в открытом состоянии 1200.0 мОм Заряд затвора 4.5 нКл Термосопротивление 62.5 (JA) К/Вт Рассеиваемая мощность 2.0 Вт