Цоколевка транзистора IRF5802
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF5802



  • Корпус - TSOP-6 (MICRO 6)
  • Напряжение пробоя сток-исток 150 В
  • Максимальное напряжение затвора 30 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1200.0 мОм
  • Заряд затвора 4.5 нКл
  • Термосопротивление 62.5 (JA) К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 2.0 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара