Характеристики MOSFET транзистора IRF5801
Корпус - TSOP-6 (MICRO 6) Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 30 В Сопротивление в открытом состоянии 2200.0 мОм Ток стока 0.6 А Заряд затвора 3.9 нКл Термосопротивление 62.5 (JA) К/Вт Рассеиваемая мощность 2.0 Вт