Характеристики MOSFET транзистора IRF530NS
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток стока 17 А Заряд затвора 24.7 нКл Термосопротивление 1.9 К/Вт Рассеиваемая мощность 3.8 Вт