Цоколевка транзистора IRF520NS
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF520NS



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 200.0 мОм
  • Ток стока 9.5 А
  • Заряд затвора 16.7 нКл
  • Термосопротивление 3.2 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 47 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара