MOSFET транзистор IRF520N

mosfet транзистор irf520nMOSFET транзистор IRF520N




Цоколевка транзистора IRF520N
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF520N



  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 200.0 мОм
  • Ток стока 9.7 А
  • Заряд затвора 16.7 нКл
  • Термосопротивление 3.1 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 48 Вт
    • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара

    Закрыть меню