Характеристики MOSFET транзистора IRF1902



  • Корпус - SO-8
  • Напряжение пробоя сток-исток 20 В
  • Максимальное напряжение затвора 12 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 85.0 мОм
  • Заряд затвора 5.0 нКл
  • Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара