Характеристики MOSFET транзистора IRF1010ZS
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.5 мОм Ток стока 94 А Заряд затвора 63.0 нКл Термосопротивление 1.11 К/Вт Рассеиваемая мощность 140 Вт