Характеристики MOSFET транзистора IRF1010NS



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 55 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм
  • Ток стока 84 А
  • Заряд затвора 80.0 нКл
  • Термосопротивление 0.85 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 3.8 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара