Характеристики MOSFET транзистора IRF1010NS
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм Ток стока 84 А Заряд затвора 80.0 нКл Термосопротивление 0.85 К/Вт Рассеиваемая мощность 3.8 Вт