Характеристики MOSFET транзистора IRF1010EZS



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 60 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 8.5 мОм
  • Ток стока 84 А
  • Заряд затвора 58.0 нКл
  • Термосопротивление 1.11 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 140 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара