Характеристики MOSFET транзистора IRF1010EZS
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 60 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 8.5 мОм Ток стока 84 А Заряд затвора 58.0 нКл Термосопротивление 1.11 К/Вт Рассеиваемая мощность 140 Вт