Характеристики MOSFET транзистора IRF1010ES
Корпус - D2-PAK Напряжение пробоя сток-исток 60 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 12.0 мОм Ток стока 83 А Заряд затвора 86.6 нКл Термосопротивление 0.90 К/Вт Рассеиваемая мощность 170 Вт