×

Ошибка

Товар невозможно заказать в данном количестве
Максимальное количество заказа 0.

Характеристики MOSFET транзистора IRF6608



  • Корпус - DIRECTFET ST
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 12 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
  • Заряд затвора 15.0 нКл
  • Термосопротивление 3.0 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 42 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара